MOS管是电压驱动型元件，MOS管在驱动电路时，驱动电压达不到导通维持电压（Vgs)，MOS管就不能实现稳定、可靠的导通。 单片机的工作电压一般为3.3V或5V，有一定的带负载能力，然而I/O口输出...
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，相比于传统的硅（Si）具有耐高压、耐高频、耐高温等优势。首先，碳化硅（SiC）的击穿电压为硅（Si）的8-10倍，能够承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计...
双向电源开关，即BPS，一种使用MOSFET或 IGBT 构建的有源器件，在上电时允许双向双向电流流动，并在断电时阻止双向电压流。
GS波形是指在MOS管的栅极和源极之间的电压随时间变化的波形，通过其栅源极之间的电压来控制电路中MOS管的开关状态。GS波形对MOS管在不同工作状态下的特性以及设计电路的性能有很大影响。
实际应用中，电压尖峰裕量是一个比较重要的参数，它起到了MOSFET在开关过程中是否出现过压的决定作用，它影响着MOSFET的可靠性和寿命。 一般来说，影响MOSFET电压尖峰的裕量的因素有很多种：M...
MOSFET桥式整流器是一种采用MOSFET器件实现的桥式整流电路，用于将交流电转换为直流电。它主要由四个MOSFET组成，可以实现高效的电能转换。
