齐纳击穿与雪崩击穿三点区别

齐纳击穿与雪崩击穿三点区别
三点区别如下：
1.齐纳击穿主要取决于空间电荷区中的强电场，并且需要较薄的隧穿区域；而碰撞电离过程既与场强大小有关，也与载流子的碰撞累积过程有关。当空间电荷区越宽时，倍增次数越多，因此雪崩击穿除了与电场强度有关以外，同样与空间电荷区的宽度有关，区别在于雪崩击穿要求“结厚”，而齐纳击穿要求”结薄”；2.由于温度升高造成禁带宽度减小，隧穿几率增大，因此由隧道效应决定的击穿电压具有负的温度系数，即击穿电压随温度升高而减小。而由于温度升高，载流子受散射加剧，碰撞电离率随温度升高而减小，则雪崩效应导致的击穿电压随温度升高而增加，即温度系数为正；3.对于掺杂浓度较高，且势垒区较薄的PN结，以齐纳击穿为主；而对于掺杂较低，且势垒区较宽的PN结，则以
雪崩击穿为主，并且击穿电压一般较高。