YFW150P04AS -150A -40V TO-263 印字YFW150P04AS 低压P沟MOS管 YFW佑风微品牌

型号：YFW150P04AS

沟道类型：P沟道

封装：TO-263

品牌：YFW佑风微

最大漏极电流ID：-150A

漏源击穿电压VDS：-40V

栅极阈值电压VGS(th)：-1.2V — -2.5V

漏极源极导通电阻RDS(ON)：5.4mΩ

引脚数量：3

产品特性：高密度的沟槽P-沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷。

产品应用：100%EAS保证 绿色设备可用超低栅极电荷

卓越的CaV/dt 效应下降  先进的高细胞密度沟槽技术

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