功率MOSFET分为耗尽型（DM）和增强型（EM）两种，两者主要在于导电沟道的区别，两者的控制方式不同。 耗尽型MOS管的G端在不施加电压时就会有导电沟道的存在，增强型MOS管则相反，只有在开启...
早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS，是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积，并且具有更高的放大倍数。
IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过，这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅极和发射极之间的电压低于阈值电压，IGBT则将关闭或者处于截止状态。
本文介绍了五种MOS管在实际应用中存在的漏电流：反偏结泄漏电流、栅极致漏极泄漏电流、栅极直接隧穿电流、亚阈值泄漏电流和隧穿栅极氧化层漏电流。这些漏电流会影响低功耗设备电池的寿命和s&h电路信号保持时间...
米勒电容：在栅极（G）和漏极（D）之间的一个寄生电容。 当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0（饱和压降）到母线的变化过程，这个电压变化率就是“dv/dt...
栅极驱动 IC 式自举电路的设计说明 自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。 当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 ，（低端开关导通，高端开关关断） 电源 VDD...
