输入5V，“输入5V，那么分压点Vb电压是3.4V”的前提是两个电阻分压，但没有晶体管的情况下。一旦接入晶体管，be结必会导通，Vb的电压就被箝位在0.65V上，就不再是两个电阻分压了。应该理解成“4...
目前第三代半导体主要是：碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO这三种。 而碳化硅是近几年关注度较高的半导体器件，它主要应用在工业，光伏，汽车领域。特别是在电车应用方面，碳化硅可是赚了不少“大钱...
传统的防反保护电路，一般采用的都是PMOS管。 将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过PMOS的体二极管到负载端。 如果正向电压超过 PMOS的门限阈值，主...
简单的栅极驱动电路设计，我们会使用NMOS来作防反电路，原因是成本较低。 PMOS一般会放置在电路的高边，NMOS则是在低边放置。两者的功能类似。不过，NMOS的防反结构，它的电源地和负载地是分...
功率MOSFET分为耗尽型（DM）和增强型（EM）两种，两者主要在于导电沟道的区别，两者的控制方式不同。 耗尽型MOS管的G端在不施加电压时就会有导电沟道的存在，增强型MOS管则相反，只有在开启...
早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS，是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积，并且具有更高的放大倍数。
