MOS 管的开启过程可以分为三个阶段：截止区、导通区、饱和区。 在截止区，MOS 管的栅源电压为零，此时 MOS 管处于关断状态。随着栅源电压的增加，当栅源电压达到门极开启电压（Vg(th)）时...
NMOS 的沟道是由 n 型半导体构成的，而 PMOS 的沟道则是由 p 型半导体构成的。
低温，顾名思义，就是比常温低的温度，通常指的是接近绝对零度的温度。而超导，则是指某些材料在低温下电阻为零的奇妙现象。 当我们将这两种现象结合起来，就会知道 GBW 在低温和超导状态下为何变得如此微小...
栅极浮空，顾名思义，就是 MOS 管的栅极不与任何电极相连，处于悬浮状态。在这种状态下，栅极电压为零，MOS 管的导通特性会发生变化（当 Vg（栅极电压）输入高电平时，N 管会导通，使得 P 管的栅极...
在 N 沟道 MOS 管中，当栅极施加正电压时，栅极附近的电子被排斥，形成一个电子空缺区域，这就是耗尽层。相反，在 P 沟道 MOS 管中，当栅极施加负电压时，栅极附近的空穴被排斥，形成一个空穴空缺区...
三极管是一种双极型晶体管，具有三个控制电极：基极、发射极和集电极。 其中基极和发射极这两者之间的电流控制着集电极和发射极之间的电流。三极管的控制电路比较简单，只需要通过一个基极电流就可以控制集电极电...
