重磅！推出新一代中低压MOSFET技术

最近推出了一款全新的功率MOSFET产品，名为SGT（Shielded Gate Trench屏蔽栅沟槽）技术。这项技术通过改变MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。新一代中低压功率MOSFET产品已广泛采用SGT技术。

（Trench MOS和SGT MOS器件结构图）

SGT MOSFET与传统的沟槽型MOSFET相比具有许多优势。SGT工艺挖掘深度比普通沟槽工艺深3-5倍，通过在栅电极下方增加一块多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极，实现了屏蔽栅极与漂移区的作用。这样一来，SGT MOSFET减小了米勒电容和栅电荷，提高了开关速度并降低了开关损耗。同时，SGT MOSFET减小了漂移区临界电场强度，降低了导通电阻，内阻比普通沟槽型MOSFET低2倍以上。

（Trench MOS和SGT MOS栅电荷对比）

采用SGT技术制造的MOSFET减小了寄生电容和导通电阻，提升了芯片性能，并减小了芯片面积。与普通沟槽型MOSFET相比，在相同功耗下，SGT MOSFET的芯片面积减少超过40%。此外，SGT MOSFET在雪崩时能够更好地承受雪崩击穿和浪涌电流，具有较高的功率密度。

（应用于同步整流SGT MOS）

随着手机快充、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起，中低压MOSFET的需求越来越大。SGT MOSFET作为中低压MOSFET的代表，被广泛应用于手机快充、电机驱动和电源管理系统等领域，成为核心功率关键部件。