栅极驱动 IC 式自举电路的设计说明

栅极驱动 IC 式自举电路的设计说明

自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。

当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 ，（低端开关导通，高端开关关断）

电源 VDD 通过自举电阻RBOOT，和自举二极管DBOOT，对自举电容CBOOT，进行充电。

当 高端开关将VS 上拉到一个较高的电压时，由 VBS 对自举电容放电，此时VBS 电源浮动，自举二极管反向偏置，轨电压 （低端开关关断，高端开关导通）和 IC 电源电压 VDD，被隔离开。

以上就是自举式电路在高电压栅极驱动电路的工作原理。

当输入电平不允许高端 N MOS或 IGBT 使用直接式栅极驱动电路时，我们就可以考虑自举式栅极驱动技术。

它经常用作栅极驱动和伴发偏置电路，两者都以主开关器件的源极作为基准。

自举式电路具有简单。低成本的优势。

但也存在一些缺点，占空比和导通时间会受到自举电容的限制。并且，在开关器件关断时，源极的负电压会使负载电流突然流经续流二极管，随后给栅极驱动电路的输出端造成麻烦。

此外，如果电容过小，自举电容在上管开通时下降纹波过大，降低电容的使用寿命，开关管损耗变高，开关可靠性也变低；

如果电容值过大，自举电容的充电时间减少，低端导通时间可能不足以使电容达到自举电压。

这种情况就需要在PWM算法上做特定占空比补偿或者独立电源供应。