什么是场效应晶体管？

场效应晶体管为单极型（只有一种载流子参与导电）三极管，简称场效应管，属于电压控制型半导体器件。

特点：场效应管具有输入阻抗很高、功耗小、安全工作区域宽和易于集成等特点，因此广泛用于数字电路、通信设备和仪器仪表等方面。

分类：常用的有结型和绝缘栅型（即MOS管）两种，每一种又分为N沟道和P沟道。场效应管的三个电极为源极(S)、栅极(G)与漏极(D)。

场效应晶体管的电路符号。其中，N沟道结型场效应管，P沟道结型场效应管，P沟道增强型绝缘栅管，N沟道增强型绝缘栅管，耗尽型绝缘栅管，N沟道耗尽型绝缘栅管。

1．场效应晶体管的技术参数场效应晶体管的技术参数主要有夹断电压UP(结型)、开启电压UT(MOS管)、饱和漏极电流II:6S、直流输入电阻、跨导、噪声系数和最高工作频率等。

2．使用注意事项(1)MOS器件保存时应将三个屯极短路放在屏蔽的金属盒中，或用锡纸包装。

(2)取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘盛放待用的器件。

(3)焊接用的电烙铁必须接地良好或断开电源用余热焊接。

(4)在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，待MOS器件焊接完成后再分开。

(5)MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极和栅极。拆下时顺序相反。

(6)不能用万用表测MOS管的各极，检测MOS管要用测试仪。

(7)MOS场效应晶体管的栅极在允许的条件下，最好接入保护二极管。

(8)使用MOS管时应特别注意保护栅极（任何时候不得悬空）。