YFW20G06GD 20A 60V TO-252-4L 印字YFW20G06GD 低压N+P沟MOS管 YFW佑风微品牌

型号：YFW20G06GD

沟道类型：低压N+P沟MOS管

封装：SOP-8

品牌：YFW佑风微

N沟最大漏极电流ID：25A

N沟漏源击穿电压VDS：60V

P沟最大漏极电流ID：-19A

P沟漏源击穿电压VDS：-60V

N沟栅极阈值电压VGS(th)：1.2V-2.5V

N沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：60mΩ

P沟栅极阈值电压VGS(th)：-1.5V - -2.5V

P沟漏极源极导通电阻RDS(ON)：100mΩ

引脚数量：4

产品特性：采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)，低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

产品应用：增强驱动 无刷电机

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