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封装:TO-247-4L
漏源电压VDS:650V
栅源电压VGS:3.6A
持续漏极电流ID:70A
栅源阈值电压VGS(th):2V VDS=VGS, ID=10mA
漏源导通电阻RDS(ON):30mΩ VGS=15V ID=30A
总栅极电荷Qg:111nC
输入电容Ciss:2550PF
引脚数量:4
产品特性:第三代SiC MOSFET技术 高速开关,低电容
带独立驱动源极引脚的优化封装
漏极与源极之间爬电距离>8mm
高阻断电压,低导通电阻
具有低反向恢复时间(Orr)的快速本征二极管
产品应用:电机驱动器 电动汽车充电站
高压直流/直流转换器
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