MOSFET性能改进：超级结MOSFET

SJ MOSFET（超结MOSFET）

SJ MOSFET是一种超结构MOSFET，英文名称叫Super Junction MOSFET。主要应用于高压（600V-800V）领域。为了解决额定电压提高而导通电阻增加的问题，超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。

它的结构是在沟槽MOSFET的基础上加入了超结二极管，可以有效降低开关损耗和反向恢复时间，提高效率和可靠性。

对于常规VDMOS器件结构，RDS(ON)与BV是矛盾的，要想提高BV，减小EPI掺杂浓度，导通电阻必然要变大；而超结MOS是在提高NEPI掺杂浓度的同时，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN结，在器件反偏时形成很厚的PN耗尽层，以达到高的隔离电压，从而使其RDS(ON/BV)打破原有VDMOS的极限。

SJ MOSFET 特点

SJ-MOSFET具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、开关速度快、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点。一般适用于电机驱动系统、逆变器系统和电源管理系统和大功率电源应用等领域。

其中我们以大功率电源应用领域举例子得知，SJ MOSFET在大功率电源应用十分广泛，如太阳能逆变器、电动汽车驱动电源、工业电源等。

在太阳能逆变器中，超结MOSFET可明显提高系统的效率和可靠性；在电动汽车驱动电源中，超结MOSFET的高开关速度和低开关损耗为车辆的加速和行驶提供了稳定而高效的电源支持；在工业电源中，超结MOSFET的低导通损耗和低开关损耗为各种工业设备提供了稳定而高效的电源

                     
超级结MOSFET优势：

l 效率高、稳定性强

l 内阻低、低功耗、低温升

l 适用于硬开关及软开关（PFC和LLC）。

l 易于使用，可快速设计并适用于PFC和PWM阶段

l 适用于多样化的应用及功率需求