日期:2024-01-17 分类:产品知识 浏览:681 来源:广东佑风微电子有限公司
MOSFET的击穿种类如下:Source、Drain、Gate场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G(这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
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